自己温度補償型ゲージ（セルコンゲージ^®）の原理

下図のように線膨張係数がβ_sである被測定物の平面に接着した抵抗素子の線膨張係数がβ_gであるひずみゲージの1℃当りの温度による見かけひずみε_Tは次式で示されます。

自己温度補償型ゲージは上式のε_Tが零に近くなるように、被測定物の線膨張係数に合わせて、ゲージの抵抗素子の抵抗温度係数を制御したものです。
弊社のセルコンゲージは、適合する被測定材に接着した場合の自己温度補償範囲における見かけひずみが平均値として±1.8×10^-6ひずみ/℃以内（代表値）となるよう調整されています。（見かけひずみ出力は、リード線を含まないひずみゲージのみの測定値です）